(1)QW激光器

    随着金属有机物化学汽相淀积（MOCVD）技术的逐渐成熟和完善，QW激光器很快从实验室研制进入商用化。QW器件是指采用QW材料作为有源区的光电子器件，材料生长一般是采用MOCVD外延技术。这种器件的特点就在于它的QW有源区具有准二维特性和量子尺寸效应。QW激光器与体材料激光器相比，具有阈值电流小、量子效率高、振荡频率高的特点，并可直接在较高的温度下工作。

    (2)应变QW激光器

    为了进一步改善QW激光器的性能，人们又在QW中引入应变和补偿应变，出现了应变QW激光器和补偿应变QW激光器。应变的引入减小了空穴的有限质量，进一步减小了价带间的跃迁，从而使QW激光器的阈值电流显著降低，量子效率和振荡频率再次提高，并且由于价带间跃迁的减小和俄歇复合的降低而进一步改善了温度特性，实现了激光器无致冷工作。在阱和垒中分别引入不同应变（张应变/压应变）实现应变补偿，不仅能改善材料质量，从而提高激光器的寿命，而且可利用压应变对应于TE模式、张应变主要对应于TM模式的特性，制作与偏振无关的半导体激光放大器。

    引人瞩目的是，GaSb基锑化物材料的研究多年来倍受重视，因其波长覆盖范围宽，可从1.7m延展到4.5m，但材料生长和器件制作比较困难，1990年以前器件性能指标较低。经过近十年的努力，目前MBE生长GaSb基锑化物应变量子阱激光器已在1.9 2.6m波段先后获得室温连续大功率工作的突破。

    (3)我国QW激光器的进展

    我国从1993年年底开始利用AIX200型低压MOCVD系统进行QW器件的开发，现已开发出几十种InGaAsP系列、AlGaInAs系列材料和两种系列的应变QW材料，QW器件的开发也取得丰硕的成果，完成了多项"863"项目，已形成产品的主要有如下器件：

    （1）普通1.3 m QW激光器，国内首批实用化的QW激光器产品，1995年开始大量使用于移动通信光纤传输直放站。

    （2）应变QW DFB激光器系列产品，波长覆盖1.5～1.57 m，1996年底批量生产并正式投放市场，主要作为2.5Gb/s SDH系统和WDM系统发射和信道监控光源。

    （3）大功率高线性1.3 m应变QW DFB激光器，1997年小批量使用于CATV光发射机。

    正在开发的器件有：

    （1）1.3 m、1.55 m AlGaInAs高温无致冷应变QW激光器，"863"项目。

    （2）1.3 m、1.55 m补偿应变InGaAsP QW半导体激光放大器，"863"项目。

    （3）2.5 Gb/s用的QW DFB激光器与电吸收型调制器的单片光集成器件。