温度的不均匀性对半导体激光器巴条性能有很大影响，将导致半导体激光器巴条光谱展宽、近场和远场光强分布不均匀和腔面损伤（COD）。

　　半导体激光器的发射波长随温度有很明显的变化，如808nm半导体激光器的波长随节点温度以0.28nm/°C的速率变化。当半导体激光器芯片中每个发光单元的温度分布不均匀时，每个发光单元发射的波长就不同，就会引起激光器光谱展宽，可能出现“双峰”或“右肩膀”。

 　　激光器巴条有源区每个发光单元温度不均匀也会造成该发光区域的近场和远场光强分布不均，出现较大的波峰，严重时会导致腔面损伤。É.O’Neill等人对此进行了深入研究［4］，采用三束激光照射有源区的不同位置，再进行近场光强测量，如图5所示，结果发现在温度高的区域出现了光强峰值，激光照射处产生了较大的峰值光强（如图6所示）。

   　半导体激光器巴条温度的不均匀性主要由半导体激光器芯片中各个发光单元的自身差异以及封装过程中贴片层内产生的空洞引起。前者主要由芯片结构决定，每个发光单元的接触电阻不同，引起电流分布不均匀，导致温度分布不均匀；后者则由封装工艺决定，贴片层中出现的空洞导热性很差，易引起温度分布不均。目前制造激光器芯片的工艺技术比较成熟，芯片本身的不均匀性较小；而封装不好时，贴片层内会产生较多的空洞，这些空洞导致芯片局部热量的积累和温升，从而造成温度的不均匀。

　　减小温度的不均匀性可从两方面实现。首先从芯片入手，控制芯片外延生长，使各个发光单元外延生长均匀，并使芯片各发光单元表面的欧姆接触电阻均匀一致。其次，改进贴片工艺，尽可能做到“无空洞”贴片，保证散热均匀。